Активное развитие в направлениях искусственного интеллекта, электротранспорта, систем энергосбережения требует нового подхода для обеспечения питания в подобных применениях. Новые силовые транзисторы в чрезвычайно компактных корпусах помогают добиться новых границ энергоэффективности и малых габаритов. Для таких применений компания VBSemi запускает новый продукт, мощный SGT MOSFET на 200В – VBGQA1202N в сверхкомпактном корпусе для подобных схем, DFN8 (5mm x 6mm).
При разработке силовых схем, где необходимо достичь высокой эффективности, а также необходимо повышать не только ток, но и напряжение, традиционные устройства на 100В уже не удовлетворяют повышенным требованиям по мощности и требуют более сложные технические решения. Если повышать напряжение до 200В, то приходится использовать большие корпуса типа 220/263, которые значительно увеличивают занимаемое пространство. Новый 200В SGT MOSFET снимает эти ограничения и позволяет при сохранении размеров значительно увеличить мощность.