Электрическое управление экситонами в Bare-MoSe2 и MoSe2/NbSe2 гетероструктуре Монослойные дихалькогениды переходных металлов — перспективные материалы для оптоэлектронных устройств нового поколения. В статье показано, что вертикальное электрическое поле может эффективно восстанавливать интенсивность фотолюминесценции в гетероструктурах MoSe2/NbSe2 до уровня, близкого к монослойному MoSe2. Это открывает путь к созданию устройств с электрически настраиваемой светоотдачей. arXiv: 2508.21781 Обзоры | Физика
Электрическое управление экситонами в Bare-MoSe2 и MoSe2/NbSe2 гетероструктуре
Монослойные дихалькогениды переходных металлов — перспективные материалы для оптоэлектронных устройств нового поколения. В статье показано, что вертикальное электрическое поле может эффективно восстанавливать интенсивность фотолюминесценции в гетероструктурах MoSe2/NbSe2 до уровня, близкого к монослойному MoSe2. Это открывает путь к созданию устройств с электрически настраиваемой светоотдачей.
arXiv: 2508.21781
