Чип изготовить – не блоху подковать. Подковывать блох в России мастера, этим умельцы удивляют весь мир. Только никто не ответит на вопрос, кому это нужно, какой в этом смысл? А вот изготовить маленький чип – сущая необходимость, без этого в стране все остановится. «Блошиные» умельцы-кузнецы в России есть, а вот современных технологий в микроэлектронике нет. И этот вызов – наиболее серьезный из всех современных технологических вызовов.
Развал СССР в 1990-х годах привел к катастрофическому отставанию России в критически важной сфере — микроэлектронике. Разработки в области литографии — ключевой технологии для производства чипов — были практически полностью остановлены с начала 1990-х годов. Только в 2022 году Россия начала фактически с нуля восстанавливать утраченные компетенции, начиная с древней по современным меркам технологии 350 нм. Если бы не прекращение разработок в 1990-х, сегодня Россия могла бы быть среди технологических лидеров, а не бороться за восстановление потенциала.
Исторический контекст: цена ошибок 1990-х
Утраченные десятилетия — в конце 1980-х СССР обладал развитой микроэлектронной промышленностью. Минский завод «Планар» был одним из флагманов отрасли, разрабатывавших литографы с разрешением 500 нм. Однако после развала Союза эти наработки были заброшены. К 2022 году Россия осталась без собственного производства современного литографического оборудования, что сделало ее уязвимой для санкций.
Альтернативная реальность — если бы разработки не были прекращены в 1990-х, Россия могла бы к настоящему моменту не только сохранить, но и развить свои технологии. Например, к 2025 году мы могли бы иметь отечественные литографы с нормами 7-10 нм, что позволило бы обеспечить потребности не только военной и промышленной электроники, но и гражданского сектора.
Но на нашу голову свалился алкоголик Ельцин с командой жуликов и предателей, и все пошло наперекосяк.
Восстановление базовых технологий
На базе белорусского завода «Планар» Россия восстановила производство литографов с нормами 350 нм. По состоянию на конец лета 2025 года эти установки готовы к серийному производству и адаптации для конечных потребителей. Зеленоградский нанотехнологический центр ведет работы над литографом с разрешением 130 нм с планом завершения ОКР на 2026 год. Параллельно идет макетирование подсистем установки уровня 90 нм, а первый российский 90-нм литограф ожидается в 2028-2030 годах.
Перспективные разработки
В начале 2030-х годов Россия планирует достичь уровня 28 нм, что считается критически важным для промышленной электроники. Ведутся работы над альтернативными технологиями, включая рентгеновскую литографию с длиной волны 11,2 нм, разрабатываемую Институтом физики микроструктур РАН. Эта технология может стать более дешевой и эффективной альтернативой установкам ASML. Также Центр коллективного пользования МИЭТ работает над безмасочным ЭУФ-литографом с разрешением 28 нм и менее — принципиально новой технологией, не имеющей аналогов в мире.
Этапы развития российских литографов выглядят следующим образом: технология 350 нм достигнута в 2024 году и находится в стадии серийного производства; 130 нм планируется достичь в 2026 году с завершением ОКР; 90 нм ожидается в 2028-2030 годах с текущим макетированием подсистем; 28 нм планируется на 2030-2032 годы с разработкой концепции; технологии 11,2 нм (EUV) находятся на научно-исследовательской стадии.
Военная промышленность: зависимость и пути обеспечения
Критическая зависимость от импорта остается серьезной проблемой. Согласно внутренним документам российской IT-компании, армия РФ сильно зависит от западных чипов Intel, AMD и Nvidia. Российские чипы уступают в производительности и энергоэффективности, а их стоимость значительно выше. Отставание от западных конкурентов составляет не менее 10 лет.
Обеспечение военных потребностей осуществляется через сложную систему обхода санкций. Несмотря на ограничения, Россия смогла создать разветвленную систему посредников для закупки чипов. Только за последние три месяца 2023 года импорт критически важных чипов почти достиг уровня 2021 года. Китай стал ключевым каналом поставок, обеспечивая 60% иностранных комплектующих для российских вооружений, что создает новую зависимость от потенциально нестабильного партнера.
Научная и производственная база: сильные и слабые стороны
Зеленоградский нанотехнологический центр является ведущей организацией по разработке литографов на 130 нм и 90 нм. Институт физики микроструктур РАН разрабатывает альтернативные технологии, включая рентгеновскую литографию с длиной волны 11,2 нм. МИЭТ ведет работы над безмасочной литографией и созданием Центра коллективного пользования.
Завод «Планар» в Беларуси обеспечивает базовые технологии для 350-нм литографов. В России существует серийное производство микроэлектронных компонентов по технологиям 90-180 нм на закупленном до санкций иностранном оборудовании. Опытное производство по 65 нм также освоено.
Однако проблемы остаются значительными: кадровый голод из-за долгого застоя в отрасли и нехватка специалистов высшей квалификации; зависимость от импорта компонентов — даже для отечественных литографов требуются импортные твердотельные лазеры и особо чистый кварц.
Альтернативные пути: Россия может обогнать, не догоняя
Инновационные подходы предлагают потенциальные возможности для прорыва. Рентгеновская литография 11,2 нм, по оценкам экспертов, дешевле и проще, чем разработка аналогов ASML, что позволяет снизить затраты на изготовление и эксплуатацию литографа. Безмасочная литография разработки МИЭТ использует динамическую маску на основе МЭМС, что исключает необходимость в дорогостоящих фотошаблонах. Также ведутся разработки в области биомедицинских применений — ученые МФТИ создали литограф для создания трехмерных микроструктур, который можно использовать в биоинженерии, включая создание искусственных органов.
И все это возможно, в России есть для этого потенциал, быстрыми темпами развиваются научные школы. Но, если ученый физик будет и дальше получать зарплату меньше курьера, то все эти школы в скором времени внезапно окажутся на Западе, вместе со своими наработками и разработками.
Критическая необходимость и осторожный оптимизм
Россия оказалась в сложнейшей ситуации из-за исторических ошибок и геополитических вызовов. Однако есть основания для осторожного оптимизма. Восстановление базовых технологий уже происходит, и к 2030 году Россия может достичь уровня 28 нм, что удовлетворит большинство потребностей промышленной и военной электроники.
Инновационные разработки в области рентгеновской и безмасочной литографии могут позволить России обогнать Запад в отдельных направлениях. Государственная поддержка является ключевым фактором — согласно исследованиям, российский сектор микроэлектроники может расти на 25% в год.
Однако риски остаются значительными: зависимость от китайских технологий и комплектующих; высокая стоимость и длительные сроки разработок; возможность ужесточения санкций и блокировки обходных путей.
Если Россия сможет мобилизовать научный и производственный потенциал, у нее есть шанс не только восстановить утраченное, но и создать конкурентоспособную микроэлектронную промышленность, способную обеспечить технологический суверенитет. Этот путь требует времени, ресурсов и стратегического видения, но альтернативы у России просто нет.