Результаты работы будут полезны при разработке элементов преобразования квантовой информации между различными средами с эффективным переносом или преобразованием данных. Это актуально для квантовых коммуникаций, сетей и спин-фотонных интерфейсов. Новый подход к созданию масштабируемых квантовых устройств на основе карбида кремния, предложенный исследователями из Казанского федерального университета (КФУ), может стать основой для разработки высокоинтегрированных и надежных квантовых чипов. В центре внимания исследователей были азот-вакансионные центры в кристалле карбида кремния политипа 6H, которые обладают уникальными квантовыми характеристиками. Об этом сообщила пресс-служба Минобрнауки РФ, ссылаясь на результаты работы ученых, пишет ТАСС. Фадис Мурзаханов, научный сотрудник молодежной НИЛ, отметил, что в отличие от алмаза, доступного только в виде небольших кристаллов, карбид кремния является промышленным полупроводником, для которого разработана технология выращивания 200-мм подлож