Московские учёные из МГУ им. М. В. Ломоносова и НИЦ «Курчатовский институт» повысили эффективность мемристоров — ключевых элементов для нейроморфных компьютеров, имитирующих работу биологических нейронных сетей. По данным пресс‑службы вуза, исследователям удалось увеличить число циклов переключения таких резисторов в 1,5 раза. Мемристоры отличаются от обычных резисторов тем, что их сопротивление зависит от предшествующих токовых нагрузок. Это придаёт устройствам «память» и позволяет изменять записанные в них состояния, сближая их функции с нервными окончаниями. Группа физического факультета МГУ и Института ядерной физики им. Д. В. Скобельцына вместе с коллегами из Курчатовского института улучшила характеристики мемристоров путём облучения α‑частицами. По словам исследователей, контролируемое образование дефектов при радиационном воздействии привело к значительному улучшению: число устойчивых резистивных состояний увеличилось почти втрое, контраст между высоким и низким сопротивлением в
«Выносливость» устройств для нейроморфных компьютеров повысили учёные МГУ и Курчатовского института
29 августа 202529 авг 2025
14
1 мин