Южнокорейский гигант решил одну из ключевых проблем производителей флагманских смартфонов — перегрев оперативной памяти при интенсивных нагрузках. Новая технология упаковки с применением инновационного материала повышает теплопроводность в 3.5 раза. В погоне за производительностью мобильных устройств инженеры сталкиваются с серьёзным вызовом: как отводить тепло от компактных компонентов без громоздких кулеров. Особенно остро эта проблема стоит для оперативной памяти, собранной по технологии Package on Package (PoP), где чипы буквально наложены друг на друга. Нижний чип в такой стопке сильно перегревается, что приводит к троттлингу — сбросу частот и падению скорости работы в resource-intensive задачах, например, при длительной видеосъёмке, играх или работе с ИИ. Компания SK hynix объявила о начале поставок новой мобильной памяти DRAM, в которой эта проблема решена на фундаментальном уровне. Вместо стандартного кремнезёма для создания корпуса чипа используется инновационный эпоксидный фо
SK hynix совершила прорыв в охлаждении: представлена мобильная DRAM с радикально улучшенным теплоотводом
28 августа 202528 авг 2025
1 мин