Низкоплотные квантовые точки InGaAs/AlGaAs в нанодырах, полученных методом капельного травления За последние два десятка лет эпитаксиальные полупроводниковые квантовые точки продемонстрировали многообещающие свойства как источники одиночных и запутанных фотонов по запросу. Метод локального капельного травления позволил вырастить квантовые точки с низкой и контролируемой плотностью, малым расщеплением экситонной тонкой структуры и быстрым излучательным распадом. Учёные расширили диапазон достижимых длин волн излучения квантовых точек до примерно 920 нм при криогенных температурах, сохранив их преимущества. Это делает их подходящими для применения в интегрированной квантовой фотонике. arXiv: 2508.08400 Обзоры | Физика
Низкоплотные квантовые точки InGaAs/AlGaAs в нанодырах, полученных методом капельного травления
За последние два десятка лет эпитаксиальные полупроводниковые квантовые точки продемонстрировали многообещающие свойства как источники одиночных и запутанных фотонов по запросу. Метод локального капельного травления позволил вырастить квантовые точки с низкой и контролируемой плотностью, малым расщеплением экситонной тонкой структуры и быстрым излучательным распадом. Учёные расширили диапазон достижимых длин волн излучения квантовых точек до примерно 920 нм при криогенных температурах, сохранив их преимущества. Это делает их подходящими для применения в интегрированной квантовой фотонике.
arXiv: 2508.08400
