В гонке производителей DRAM за более быстрые, ёмкие и энергоэффективные решения SK hynix делает ставку на полное внедрение EUV-литографии при переходе на техпроцесс 1c DRAM. Это позволит компании опередить ключевых конкурентов — Samsung и Micron — в освоении следующего поколения оперативной памяти. На данный момент SK hynix использует EUV (Extreme Ultraviolet) литографию только на 2–5 наиболее критичных слоях при производстве микросхем DRAM. Остальные этапы выполняются с помощью более традиционной DUV (Deep Ultraviolet) литографии.
Однако новый план предусматривает 100% использование EUV в 1c DRAM, что потребует: EUV-литография обеспечивает более точное формирование транзисторов и межсоединений, что даёт: Это особенно актуально для дата-центров, серверных систем и мобильных устройств, где каждая доля ватта и миллиметр площади имеют значение. Полный переход на EUV — процесс дорогой и сложный. Таким образом, SK hynix фактически делает ставку на стратегическое лидерство в DRAM-сегменте, г