Широкополосные накристальные SiN лазеры Интегрированный в чип нитрид кремния (SiN) представлен как универсальный широкополосный активный материал, способный излучать свет в диапазоне от синего до коротковолнового ближнего инфракрасного спектра (примерно от 450 нм до 1000 нм). Это позволяет использовать SiN в качестве альтернативы традиционным полупроводниковым средам усиления с ограниченной пропускной способностью, таким как титанил-допированный сапфир. Нитрид кремния демонстрирует настройку частоты без скачков мод и усиление на определённых длинах волн. arXiv: 2508.02347 Обзоры | Физика
Широкополосные накристальные SiN лазеры
Интегрированный в чип нитрид кремния (SiN) представлен как универсальный широкополосный активный материал, способный излучать свет в диапазоне от синего до коротковолнового ближнего инфракрасного спектра (примерно от 450 нм до 1000 нм). Это позволяет использовать SiN в качестве альтернативы традиционным полупроводниковым средам усиления с ограниченной пропускной способностью, таким как титанил-допированный сапфир. Нитрид кремния демонстрирует настройку частоты без скачков мод и усиление на определённых длинах волн.
arXiv: 2508.02347
