Найти в Дзене
МАТРИКС ЭЛЕКТРОНИКА

Дешевле, чем Infineon, но так же надежно? Биполярные транзисторы UMW.

В прошлой статье мы разобрали полевые транзисторы (MOSFET) – теперь пришло расскажем про биполярные транзисторы (BJT). Главное отличие полевых (FET) и биполярных (BJT) транзисторов — в способе управления током: FET управляются напряжением, а BJT — током. Это определяет их сферы применения. FET чаще используют в маломощных устройствах, например, в мобильных гаджетах, усилителях сигналов и микропроцессорах. BJT применяют в усилителях мощности, коммутационных схемах, стабилизаторах и интегральных микросхемах. Состоит из трех слоев полупроводникового материала. Эти слои называются: Управление током между эмиттером и коллектором осуществляется путем изменения тока между базой и эмиттером. Преимущества биполярных транзисторов включают высокую усилительную способность и относительно низкую чувствительность к статическим электромагнитным полям. Они также могут быть легко использованы в качестве коммутационных устройств для управления большими токами. Ассортимент включает широкий выбор BJT-тран
Оглавление

В прошлой статье мы разобрали полевые транзисторы (MOSFET) – теперь пришло расскажем про биполярные транзисторы (BJT).

Главное отличие полевых (FET) и биполярных (BJT) транзисторов — в способе управления током: FET управляются напряжением, а BJT — током. Это определяет их сферы применения.

FET чаще используют в маломощных устройствах, например, в мобильных гаджетах, усилителях сигналов и микропроцессорах. BJT применяют в усилителях мощности, коммутационных схемах, стабилизаторах и интегральных микросхемах.

Биполярный транзистор (Bipolar Junction Transistor или BJT)

Состоит из трех слоев полупроводникового материала.

Эти слои называются:

  • эмиттером (Emitter);
  • базой (Base);
  • коллектором (Collector).

Управление током между эмиттером и коллектором осуществляется путем изменения тока между базой и эмиттером. Преимущества биполярных транзисторов включают высокую усилительную способность и относительно низкую чувствительность к статическим электромагнитным полям. Они также могут быть легко использованы в качестве коммутационных устройств для управления большими токами.

Биполярные транзисторы UMW

Ассортимент включает широкий выбор BJT-транзисторов:

  • NPN (15-300В, 50мА-1,5А);
  • PNP (25-300В, 100мА-1,5А).

В линейку биполярных транзисторов входят следующие семейства:
• BC8xx
• MMBTxxx
• 2SA(C)xxx
• Sxxxx
• SSxxxx.

NPN-транзисторы

Напряжение: коллектор-эмиттер от 15В до 300В; ток коллектора от 50мА до 1,5А
Корпуса: SOT23-3 и TO-9.

Корпуса биполярных NPN-транзисторов
компании UMW с расположением выводов
Корпуса биполярных NPN-транзисторов компании UMW с расположением выводов

В таблице ниже представлены некоторые NPN-транзисторы компании UMW с их характеристиками и аналогами.

-3

PNP-транзисторы

Напряжение: коллектор-эмиттер от 25В до 300В; ток коллектора от 100мА до 1,5А
Корпус: SOT23-3.

Корпус биполярных PNP-транзисторов
компании UMW с расположением выводов
Корпус биполярных PNP-транзисторов компании UMW с расположением выводов

В таблице ниже можно видеть представителей ассортимента PNP-транзисторов компании UMW с указанием основных характеристик и аналогов производства других брендов.

-5

UMW – надежные транзисторы для современных электронных устройств

Компоненты UMW предлагают идеальный баланс качества и стоимости, что делает их выгодной альтернативой решениям от Infineon, Nexperia и Onsemi. Продукция соответствует международным стандартам и подходит для широкого спектра применений.

Где приобрести UMW в России?
Компания
«Матрикс Электроника» является официальным партнером производителя. Наши эксперты помогут подобрать аналоги, оформить заказ и проконсультируют по техническим вопросам.

Сайт: https://gcmatrix.com/

Email: info@gcmatrix.com