Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене

Влияние облучения протонами на 4H-SiC низкопороговые лавинные детекторы (LGADs

Влияние облучения протонами на 4H-SiC низкопороговые лавинные детекторы (LGADs) Частицы карбида кремния (SiC) в детекторах обладают высоким временным разрешением и надёжностью в экстремальных условиях. Исследования показали, что при облучении протонами детекторы SiC LGAD теряют часть своих характеристик, но всё ещё сохраняют измеримый сигнал. Это указывает на потенциал использования SiC LGAD в физике высоких энергий. arXiv: 2507.23062 Обзоры | Физика

Влияние облучения протонами на 4H-SiC низкопороговые лавинные детекторы (LGADs)

Частицы карбида кремния (SiC) в детекторах обладают высоким временным разрешением и надёжностью в экстремальных условиях. Исследования показали, что при облучении протонами детекторы SiC LGAD теряют часть своих характеристик, но всё ещё сохраняют измеримый сигнал. Это указывает на потенциал использования SiC LGAD в физике высоких энергий.

arXiv: 2507.23062

Обзоры | Физика