Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене
4pda.to

В Китае нашли способ массового производства «золотого полупроводника»

Китайские учёные нашли способ массово производить высококачественный селенид индия — так называемый золотой полупроводник, который может заменить кремний в будущих чипах. Новый материал отличается высокой производительностью и энергоэффективностью, что делает его идеальным кандидатом для применения в сфере ИИ, беспилотниках и умных устройствах. Главная проблема заключалась в том, что при создании селенида индия сложно сохранить точное соотношение атомов индия и селена — 1 к 1. Исследователи из Пекинского и Народного университетов Китая предложили нагревать плёнку из аморфного селенида индия вместе с твёрдым индием в герметичных условиях. Это позволяет создать жидкую индиевую прослойку, благодаря которой постепенно формируются кристаллы с идеальной атомной структурой. С помощью нового метода команда смогла вырастить пластину диаметром 5 см и создать массив транзисторов, пригодных для интеграции в микросхемы. Это означает, что материал уже можно использовать в инженерных целях, а не толь
   В Китае нашли способ массового производства «золотого полупроводника»
В Китае нашли способ массового производства «золотого полупроводника»

Китайские учёные нашли способ массово производить высококачественный селенид индия — так называемый золотой полупроводник, который может заменить кремний в будущих чипах. Новый материал отличается высокой производительностью и энергоэффективностью, что делает его идеальным кандидатом для применения в сфере ИИ, беспилотниках и умных устройствах.

-2

Главная проблема заключалась в том, что при создании селенида индия сложно сохранить точное соотношение атомов индия и селена — 1 к 1. Исследователи из Пекинского и Народного университетов Китая предложили нагревать плёнку из аморфного селенида индия вместе с твёрдым индием в герметичных условиях. Это позволяет создать жидкую индиевую прослойку, благодаря которой постепенно формируются кристаллы с идеальной атомной структурой.

С помощью нового метода команда смогла вырастить пластину диаметром 5 см и создать массив транзисторов, пригодных для интеграции в микросхемы. Это означает, что материал уже можно использовать в инженерных целях, а не только в лабораториях.

Это значительный прорыв в области выращивания кристаллов. Учёные считают, что эта технология откроет путь к новому поколению чипов с низким энергопотреблением и высокой производительностью — и, возможно, в будущем станет основой для перехода от кремниевых к более эффективным полупроводникам.