Как указано в документе JEDEC, модули памяти DDR6 первоначально будут иметь скорость от 8800 до 17 600 МТ/с, а позднее в жизненном цикле DDR6 скорость памяти будет расширена до 21 000 МТ/с. После этого JEDEC изначально определяет диапазоны от DDR6-8800 до DDR8-17600.
Согласно отчету китайского сайта China Times, на который также ссылается TrendForce, все ведущие производители DRAM, включая Samsung, Micron и SK Hynix, уже начали производство DDR6 и в настоящее время сосредоточены на окончательном проектировании модулей памяти, проверке контроллеров, а также упаковке. По данным китайского журнала первые прототипы уже доступны, поэтому AMD и Intel уже приступили к испытаниям интерфейса. Выход на рынок уже готовится.
Далее в отчете говорится, что первые профессиональные системы, такие как суперкомпьютеры для HPC (высокопроизводительных вычислений) и серверы ИИ, будут запущены с памятью DDR6 уже в следующем году. После завершения валидации следует запустить по крайней мере крупные престижные проекты с оперативной памятью следующего поколения. То же самое относится к ноутбукам, которые должны быть оснащены LPDDR6 и скоростью передачи данных от 10 667 до 14 400 МТ/с.
Однако на массовом рынке, например на настольных ПК, ожидается, что DDR6 со скоростью от 8800 до 17 600 МТ/с начнет использоваться не ранее 2027 года, когда станут доступны соответствующие платформы. Отправной точкой вероятно может стать следующая настольная платформа AMD с сокетом AM6 и процессором Intel Titan Lake. По данным TrendForce ожидается, что DDR6 обеспечит значительный прогресс как в производительности, так и в архитектуре.
Ожидается, что структурно DDR6 перейдет на многоканальную конструкцию с четырьмя подканалами шириной 24 бита, что будет способствовать еще большему повышению пропускной способности памяти и улучшенному использованию полосы пропускания. С другой стороны, современная память DDR5 использует только два 32-битных подканала и значительно уступает по производительности.
Однако переход на DDR6 с его высокой скоростью и пропускной способностью памяти также приносит с собой совершенно новые проблемы.
Высокие скорости памяти, которые уже сейчас все чаще требуют использования новых модулей памяти CUDIMM, могут означать конец DIMM для DDR6. Хотя первый этап расширения со скоростью до 12 800 МТ/с мог быть реализован как с помощью модулей DIMM, так и с помощью CUDIMM, огромные скорости до 21 000 МТ/с предъявляют совершенно иные требования к контроллерам памяти IMC, микросхемам памяти IC и модулям.
Сообщается, что для преодоления физических ограничений, с которыми сталкиваются модули памяти DIMM из-за более высоких скоростей и пропускной способности, отрасль будет полагаться на модули памяти CAMM2 для DDR6. После затишья вокруг CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) после Computex 2024 компания G.Skill недавно продемонстрировала, что разработка стандарта по-прежнему активно ведется и не прекращена.
Как сообщает China Times, модули памяти CAMM2 могут обеспечить более высокую пропускную способность, большую плотность, меньшее сопротивление и меньший форм-фактор, необходимые для DDR6, тем самым преодолевая физические ограничения традиционных 288-контактных (CU) модулей памяти DIMM.