Найти в Дзене
SNDGLOBAL

Техперевооружение завода в Зеленограде

«НМ-Тех» вложил 118 млрд руб. в техперевооружение завода в Зеленограде. Большая часть средств была получена от ВЭБа в кредит. В 2024 г. было запущено производство, проводилась обработка пластин на производственном оборудовании с целью разработки и постановки технологий микроэлектронного производства с топологическими нормами 130 нм, 130 нм (BCD), 180 нм и 250 нм, а также Trench MOSFET. 118 млрд рублей — это значительная сумма по меркам российской микроэлектроники, особенно если учитывать, что большая её часть поступила в виде заемного финансирования от ВЭБа. В долларовом эквиваленте (по курсу ~90 руб.) это около $1,3 млрд — цифра, сопоставимая с капитальными вложениями в небольшие по мировым меркам фабрики "mature nodes", то есть технологии старших норм. Для сравнения, TSMC в 2021 году тратила около $2-3 млрд на один производственный модуль (fab module) в сегменте 28–65 нм, а строительство новых фабрик на передовых узлах обходится уже в $10–20 млрд. Однако важно учитывать разницу в мас
Оглавление

«НМ-Тех» вложил 118 млрд руб. в техперевооружение завода в Зеленограде. Большая часть средств была получена от ВЭБа в кредит. В 2024 г. было запущено производство, проводилась обработка пластин на производственном оборудовании с целью разработки и постановки технологий микроэлектронного производства с топологическими нормами 130 нм, 130 нм (BCD), 180 нм и 250 нм, а также Trench MOSFET.

Комментирует Ольга Квашенкина, глава холдинга SNDGLOBAL, контрактная разработка электроники

Насколько 118 млрд – большая сумма для техперевооружения завода? Что можно сделать на такую сумму?

118 млрд рублей — это значительная сумма по меркам российской микроэлектроники, особенно если учитывать, что большая её часть поступила в виде заемного финансирования от ВЭБа. В долларовом эквиваленте (по курсу ~90 руб.) это около $1,3 млрд — цифра, сопоставимая с капитальными вложениями в небольшие по мировым меркам фабрики "mature nodes", то есть технологии старших норм.

Для сравнения, TSMC в 2021 году тратила около $2-3 млрд на один производственный модуль (fab module) в сегменте 28–65 нм, а строительство новых фабрик на передовых узлах обходится уже в $10–20 млрд. Однако важно учитывать разницу в масштабе, технологической зрелости и доступности оборудования: в условиях ограничений и санкций в отношении России и при отсутствии доступа к EUV или современным литографическим сканерам ASML даже вложения в "устаревшие" технологические нормы требуют значительных усилий и инвестиций.

На сумму 118 млрд можно:

  • модернизировать и частично построить производство полного цикла на 200-мм подложках;
  • закупить литографическое и измерительное оборудование (в том числе refurbished), включая установки ионной имплантации, травления, CVD/PECVD, RTP и пр.;
  • обеспечить "чистые помещения", инженерную инфраструктуру (газ, вентиляция, водоочистка), автоматизацию;
  • разработать и внедрить техпроцессы (PI&D, recipes, simulation, квалификация);
  • наладить работу R&D для вывода линий на производственную мощность;
  • провести обучение кадров и отладить контроль качества.

Однако важно понимать, что для полноценного серийного производства в больших объемах потребуется как минимум сопоставимый или больший объем дополнительных инвестиций — как в расширение мощностей, так и в оборудование следующих поколений.

Хватит ли такой суммы для постановки технологии с топологическими нормами 130 нм, 130 нм (BCD), 180 нм и 250 нм, а также Trench MOSFET?

Теоретически — да, если речь идёт не о серийном производстве десятков тысяч пластин в месяц, а о постановке технологии и запуске пилотного/маломасштабного производства. Узлы 130–250 нм относятся к так называемым mature и legacy техпроцессам, и в мировой практике они до сих пор широко используются, особенно в автомобилестроении, промышленной автоматике, силовой электронике и в аналогово-цифровых приложениях. Однако важный момент: оборудование для этих норм всё сложнее найти — оно либо устарело, либо выкупается Китаем, Индией, ЮВА.

Сама по себе постановка технологического процесса — это не просто физическое размещение оборудования. Это годы на отработку параметров, проведение большого числа итераций, стабилизацию характеристик и соответствие требованиям по yield, надёжности, температурной стабильности и т.п. Особенно сложно это делать в условиях ограниченного доступа к международным CAD-системам, IP-блокам и материалам.

Технологии BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) и Trench MOSFET относятся к силовой микроэлектронике — там особенно важны высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление канала, устойчивость к тепловым нагрузкам. Это уже ближе к производству силовых ключей и драйверов, где выходные параметры критичны, и тут возможно потребуется доработка или закупка специализированных установок, в том числе для глубокого травления и пассивации.

Так что, кратко говоря, сумма достаточная для постановки указанных технологий на опытно-промышленный уровень, но с оговорками по объёмам, срокам выхода на стабильные показатели и дальнейшей коммерциализации.

Много ли предприятий у нас в стране, которые уже освоили 130 нм, 130 нм (BCD), 180 нм и 250 нм, а также Trench MOSFET? Насколько эти нормы востребованы? Какие (для чего) чипы на них можно выпускать?

На сегодняшний день производственных площадок, реально работающих в диапазоне 130–250 нм, в России крайне немного. Среди них можно отметить "Микрон" (Зеленоград), "Ангстрем", "Море", заводы в Новосибирске (НИИПП) и Томске (НИИЭТ), а также ряд предприятий в рамках Ростеха и ОПК, однако в большинстве случаев речь идёт либо о 180 нм и старше, либо об ограниченных объёмах опытного производства. По состоянию на 2024 год о полностью квалифицированной линии на 130 нм BCD или Trench MOSFET в РФ заявляли в основном в рамках проектов и дорожных карт.

Нормы 130–250 нм остаются очень востребованными в силу их устойчивости, зрелости и предсказуемости. По оценкам международных аналитиков, до 60% мирового спроса на чипы приходится именно на mature nodes — это автоматика, телекоммуникации, промышленное управление, ИБП, приводная техника, датчики, аналого-цифровые преобразователи, радиочастотные решения, банальные EEPROM/Flash, а также логика малой и средней интеграции.

Trench MOSFET, в частности, применяются в автомобильной электронике, преобразователях напряжения, зарядных устройствах, бытовой технике и оборудовании для энергетики. В условиях, когда Китай, Тайвань и ЮВА доминируют в этом сегменте, локализация подобных технологий в России действительно может дать эффект в плане импортозамещения, особенно если будет обеспечен выход на надёжность и стабильность параметров.

Однако надо понимать: даже если технологически освоены указанные нормы, без массового спроса со стороны потребителей (в первую очередь автопрома, энергетики, телеком-операторов, Минобороны и т.д.) устойчивой загрузки линий не будет. Минпромторг в рамках 719 постановления и программы "Электроника" декларирует поддержку локализации и требует сертификации уровня готовности, но пока остаётся открытым вопрос долгосрочной экономики таких фабрик — особенно без экспортных рынков.