ГК Элемент инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов

ГК Элемент инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов

Крупнейший разработчик и производитель микроэлектроники в России, группа компаний «Элемент» инвестирует 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы – НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже.

По словам представителя «Элемента», реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.

Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год.

Проект реализуется с использованием льготного финансирования в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Оператор программы КИП является Фонд развития промышленности.

Выбор НИИЭТ в качестве площадки для размещения кристального производства представитель «Элемента» объясняет наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия. Источник