Специалисты в области физики из российского Института ядерной физики СО РАН разработали плотную и высокотемпературную квазистационарную плазму, генерирующую экстремальный ультрафиолетовый свет. Этот результат имеет большое значение для прогресса в микроэлектронике, где фотолитография применяется для создания микроскопических элементов на микрочипах. Уменьшение габаритов микросхем требует инновационных источников УФ-излучения, и плазма может послужить основой для литографического оборудования нового поколения.
Плазма была создана с использованием уникальной установки, основанной на непрерывном терагерцовом лазерном разряде. Её устойчивость поддерживается благодаря импульсно-периодическому излучению. Ученые намереваются увеличить мощность плазмы в 2–4 раза, усиливая терагерцовое излучение, генерируемое Новосибирским лазером на свободных электронах.
В роли источника излучения планируется использовать ксенон. Данную технологию собираются адаптировать для малогабаритных устройств, использующих СВЧ-генераторы, способные передавать энергию в форме сфокусированного волнового пучка, включая потенциальное использование в космическом пространстве.
Обратите внимание: В жизни российских пенсионеров в июне произойдут перемены, связанные с новым указом, о котором рассказала Татьяна Голикова