Micron сообщила о начале поставок инженерных образцов своей новой памяти HBM4, которая предлагает 36 ГБ ёмкости на один модуль за счёт 12-Hi стека. Это стало возможным благодаря улучшенной архитектуре и увеличению ширины шины данных с 1024 до 2048 бит. В результате каждый чип может обеспечить пропускную способность до 2 ТБ/с — это на 20% эффективнее, чем предыдущее поколение HBM3E.
Память построена на основе уже освоенного техпроцесса 1β (one-beta), который используется Micron с 2022 года. Более того, компания планирует перейти к 1γ (one-gamma) с применением EUV-литографии, что улучшит плотность и энергоэффективность как для HBM4, так и для DDR5 в будущем.
Ожидается, что первыми потребителями станут NVIDIA и AMD. Обе компании рассматривают возможность использования HBM4 в своих следующих поколениях: NVIDIA — в AI-ускорителях Rubin-Vera, которые должны появиться во второй половине 2026 года, а AMD — в линейке Instinct MI400, информация о которой будет раскрыта на конференции Advancing AI 2025.
HBM4 особенно важна для задач генеративного ИИ, машинного обучения и научных вычислений, где требуется быстрый доступ к большим объёмам данных. Увеличенная ширина интерфейса и высота стека позволяют перемещать данные более эффективно, что критически важно для многочиповых систем и связанных межсоединений.
Хотя массовое производство начнётся в начале 2026 года, остаются нерешённые вопросы: термоуправление и реальная производительность в условиях тяжёлых рабочих нагрузок. Эти параметры определят, насколько хорошо HBM4 справится с самыми требовательными ИИ-вычислениями.