Разработан инновационный транзистор с круговым затвором Кремниевые транзисторы достигли предела физических возможностей уменьшения, но команда ученых из Японии хочет переписать правила. Из легированного галлием оксида индия они создали передовой транзистор с использованием новаторской структуры кругового затвора (gate-all-around). Благодаря точному проектированию атомной структуры материала новое устройство обеспечивает замечательную подвижность и стабильность электронов. Этот прорыв может открыть путь к более быстрой и надежной электронике для всевозможных вычислительных технологий. https://hightech.plus/2025/06/14/razrabotan-innovacionnii-tranzistor-s-krugovim-zatvorom
Разработан инновационный транзистор с круговым затвором
Кремниевые транзисторы достигли предела физических возможностей уменьшения, но команда ученых из Японии хочет переписать правила. Из легированного галлием оксида индия они создали передовой транзистор с использованием новаторской структуры кругового затвора (gate-all-around). Благодаря точному проектированию атомной структуры материала новое устройство обеспечивает замечательную подвижность и стабильность электронов. Этот прорыв может открыть путь к более быстрой и надежной электронике для всевозможных вычислительных технологий.
https://hightech.plus/2025/06/14/razrabotan-innovacionnii-tranzistor-s-krugovim-zatvorom
