Исследователи из Университета Лобачевского представили инновационную пленку на основе кремния в гексагональной фазе, которая способна значительно повысить эффективность электронных устройств. Этот материал позволяет увеличить ток в транзисторах при снижении напряжения, что открывает новые горизонты для создания более мощных и энергоэффективных микропроцессоров. Об этом сообщается на портале Десятилетия науки и технологий в России. Интересный факт: Гексагональный кремний, также известный как 4H-SiC, ранее считался крайне нестабильным и мог существовать лишь в лабораторных условиях при экстремально высоких давлениях. Однако российским ученым удалось «приручить» эту форму кремния, что ранее казалось невозможным. Обычный кремний, используемый в микроэлектронике, имеет кубическую кристаллическую решетку. В отличие от него, гексагональная структура обеспечивает более высокую подвижность электронов в определенных направлениях, что существенно увеличивает проводимость материала. Проблема в том
Российские ученые совершили прорыв в микроэлектронике: стабилизировали гексагональный кремний
17 июня 202517 июн 2025
4
2 мин