Найти в Дзене
LUXTERNA

Принцип работы диодного лазера

Диодный лазер (полупроводниковый лазер) — это компактный и эффективный источник когерентного излучения, широко применяемый в телекоммуникациях, медицине, промышленности и бытовой электронике. Его работа основана на явлении вынужденного излучения в полупроводниковом p-n-переходе. Основные компоненты диодного лазера: Для генерации лазерного излучения необходимо создать инверсию населённостей — состояние, при котором количество электронов на высоком энергетическом уровне превышает их количество на низком. В полупроводниковом лазере это достигается за счёт: - Инжекции носителей — при пропускании тока через p-n-переход электроны и дырки рекомбинируют, выделяя фотоны. - Использования гетероструктур — слои с разной шириной запрещённой зоны (например, в лазерах на квантовых ямах) повышают эффективность. Когда фотон с энергией, равной разности уровней, проходит через активную среду, он вызывает вынужденное излучение — процесс, при котором возбуждённый электрон переходит на нижний уровень, испус
Оглавление

Введение

Диодный лазер (полупроводниковый лазер) — это компактный и эффективный источник когерентного излучения, широко применяемый в телекоммуникациях, медицине, промышленности и бытовой электронике. Его работа основана на явлении вынужденного излучения в полупроводниковом p-n-переходе.

1. Устройство диодного лазера

Основные компоненты диодного лазера:

  • Активная среда — полупроводниковый кристалл (обычно арсенид галлия GaAs, фосфид индия InP или нитрид галлия GaN).
  • P-n-переход — область, где происходит рекомбинация электронов и дырок с излучением фотонов.
  • Оптический резонатор — формируется зеркальными гранями кристалла или внешними зеркалами для усиления света.
  • Источник энергии — электрический ток, инжектирующий носители заряда в активную зону.
-2

2. Физические принципы работы

2.1. Инверсия населённостей

Для генерации лазерного излучения необходимо создать инверсию населённостей — состояние, при котором количество электронов на высоком энергетическом уровне превышает их количество на низком. В полупроводниковом лазере это достигается за счёт:

- Инжекции носителей — при пропускании тока через p-n-переход электроны и дырки рекомбинируют, выделяя фотоны.

- Использования гетероструктур — слои с разной шириной запрещённой зоны (например, в лазерах на квантовых ямах) повышают эффективность.

Диаграмма энергетических уровней
Диаграмма энергетических уровней

2.2. Вынужденное излучение

Когда фотон с энергией, равной разности уровней, проходит через активную среду, он вызывает вынужденное излучение — процесс, при котором возбуждённый электрон переходит на нижний уровень, испуская идентичный фотон. Это приводит к когерентному усилению света.

-4

2.3. Оптический резонатор

Для формирования лазерного луча используются:

- Торцевые зеркала — естественные грани кристалла (коэффициент отражения ~30%).

- Дифракционные решётки (в DFB- и DBR-лазерах) для селекции длины волны.

Фотоны многократно отражаются, усиливаясь, пока не достигнут порога генерации и не выйдут через полупрозрачное зеркало в виде лазерного луча.

-5

3. Режимы работы

- Непрерывный (CW) — постоянный ток обеспечивает стабильное излучение.

- Импульсный — короткие мощные импульсы (используется в лазерной дальнометрии, медицине).

4. Преимущества диодных лазеров

  • Высокий КПД (до 50%).
  • Компактность и долгий срок службы.
  • Широкий диапазон длин волн (от УФ до ИК).
  • Простота модуляции (важно для оптоволоконной связи).

5. Применение

  • Телекоммуникации — передача данных по оптоволокну.
  • Медицина — лазерная хирургия, косметология.
  • Промышленность — резка, сварка, гравировка.
  • Потребительская электроника — DVD/Blu-ray, лазерные указки.

Заключение

Диодные лазеры сочетают высокую эффективность, надёжность и миниатюрность, что делает их ключевым элементом современных оптических технологий. Их работа основана на инжекционной накачке, вынужденном излучении и оптической обратной связи, что позволяет получать мощное когерентное излучение с точной длиной волны.