Диодный лазер (полупроводниковый лазер) — это компактный и эффективный источник когерентного излучения, широко применяемый в телекоммуникациях, медицине, промышленности и бытовой электронике. Его работа основана на явлении вынужденного излучения в полупроводниковом p-n-переходе. Основные компоненты диодного лазера: Для генерации лазерного излучения необходимо создать инверсию населённостей — состояние, при котором количество электронов на высоком энергетическом уровне превышает их количество на низком. В полупроводниковом лазере это достигается за счёт: - Инжекции носителей — при пропускании тока через p-n-переход электроны и дырки рекомбинируют, выделяя фотоны. - Использования гетероструктур — слои с разной шириной запрещённой зоны (например, в лазерах на квантовых ямах) повышают эффективность. Когда фотон с энергией, равной разности уровней, проходит через активную среду, он вызывает вынужденное излучение — процесс, при котором возбуждённый электрон переходит на нижний уровень, испус