Российские инженеры разработали новый тип полевого транзистора на базе алмаза — материала, известного своей уникальной прочностью и устойчивостью к агрессивным воздействиям. Разработка ориентирована на применение в условиях, где традиционные полупроводники часто теряют работоспособность: в ядерной энергетике, космических системах, а также в оборонных и научных технологиях. Ключевым элементом нового транзистора стал ультратонкий алмазный слой — менее одного микрона толщиной — созданный с применением термохимических методов. Такая обработка позволяет добиться исключительной чистоты и устранения поверхностных дефектов, что критично для повышения стабильности и надёжности устройства. По предварительным оценкам, эффективность работы нового транзистора превосходит традиционные аналоги на 10–15%, особенно в условиях высоких температур и повышенного радиационного фона. Алмазные транзисторы обладают высокой термостойкостью, устойчивостью к радиационному облучению и низким уровнем потерь энерги
Алмазный транзистор для ядерной энергетики и космоса: прорыв в российской микроэлектронике
22 мая 202522 мая 2025
1079
1 мин