SK Hynix презентовала чипы флеш-памяти UFS 4.1 нового поколения, ориентированную на производство накопителей для современных гаджетов с поддержкой ИИ-функций. Их использование позволит сделать смартфоны более тонкими с одновременным улучшением ключевых потребительских характеристик.
Новая ревизия UFS 4.1 — это первая в мире 321-слойная память 4D NAND TLC с плотностью 1 Тбит. Такие чипы потребляют на 7% меньше энергии по сравнению с предшественниками, при этом их толщина снижена на 15% — с 1 до 0,85 мм. Заявленная скорость последовательного чтения составляет рекордные для этого типа памяти 4300 МБ/с, а скорость случайного чтения и записи, по заверению SK Hynix, увеличилась на 15 и 40% соответственно.
Фирменные чипы позиционируются как решение для тонких смартфонов и гаджетов с ИИ-функциями, требовательных к скорости передачи данных и уровню энергоэффективности. Уже анонсированы накопители нового стандарта объёмом 512 ГБ и 1 ТБ — массовые отгрузки запланированы на первый квартал 2026 года. Какие устройства первыми перейдут на память этого типа, пока неизвестно.