Наименование прибора: FBM75N68P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm