На конференции Intel Foundry Direct 2025 компания Intel представила резервную стратегию для перехода на 14A техпроцесс — следующий шаг в развитии литографических технологий после 18A. Хотя Intel активно внедряет новые установки High-NA EUV стоимостью $400 млн каждая, компания решила перестраховаться и разработала параллельный производственный поток, основанный на привычной Low-NA EUV литографии с мультиэкспозицией.
Как пояснил технический директор Intel Наги Чандрасекаран, оба варианта — и на базе High-NA, и на базе Low-NA — полностью совместимы с едиными правилами проектирования. Это означает, что заказчики не заметят разницы в структуре кристаллов и не будут вынуждены вносить изменения в проекты, независимо от выбора производственного маршрута. По словам представителя компании, пробное производства показало примерно одинаковый уровень выхода годных кристаллов.
High-NA EUV позволяет формировать сложные структуры за меньшее количество шагов, что, по заявлениям Intel, сокращает до 40 этапов производства на определённых слоях и снижает общую себестоимость. Однако новые установки пока не внедрены в серийное производство, а сама технология требует адаптации сопутствующих компонентов — фотошаблонов, резистов и вычислительных моделей для проектирования.
Ранее Intel планировала использовать High-NA уже в техпроцессе 18A, но из-за быстрого прогресса отложила до 14A. Тем временем конкурент TSMC подтвердил, что не будет использовать High-NA в своём аналогичном узле A14, и пока не раскрыл сроки внедрения новой технологии.
Intel уже изготовила около 30 000 кремниевых пластин в рамках опытной эксплуатации новых машин, но оставляет за собой право использовать Low-NA в массовом производстве — как способ избежать повторения проблем, с которыми компания столкнулась в эпоху 10 нм.