Наши отечественные специалисты пошли дальше простого копирования зарубежных аналогов — они создали собственную усовершенствованную версию литографического оборудования. Этот факт подчеркивает высокий уровень научных достижений российских исследователей и глубокие компетенции специалистов в данной области.
Подробности проекта были раскрыты на проходившем с 11 по 15 марта в Нижнем Новгороде XXVIII Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника», где собралось свыше 600 учёных из передовых отечественных лабораторий.
На конференции выступил кандидат физико-математических наук, руководитель отдела многослойной рентгеновской оптики института физики микроструктур РАН Николай Иванович Чхало. В своём выступлении под названием «Программа разработки высокоэффективной рентгеновской литографии в России» он сообщил важные сведения.
Российские учёные сделали выбор в пользу инновационного подхода, отказавшись от стандартной волны длиной 13,5 нм и создав уникальную установку с волной 11,24 нм.
Проект реализуется силами нескольких крупных организаций, связанных с атомной отраслью, а также научно-исследовательских институтов. Первоначальная цель — освоение технологии производства чипов по нормам 28 нм, после чего планируется поэтапный переход к технологиям 10 нм и менее.
Разработка проекта была начата ещё в 2022 году, и сейчас работа продвигается быстрыми темпами.
Итак, первый функционирующий прототип планируется представить уже в период 2026–2027 годов, причем работы идут строго по графику. Массовое производство начнётся ориентировочно между 2028-м и 2031 годами.
Уверенность в успешном выполнении задания вполне обоснована — стоит отметить, что отечественные инженеры изначально принимали активное участие в разработке данной технологии совместно с инженерами компании ASML, долгое время трудились бок о бок и накопили значительный практический опыт и знания.
Сегодня российская команда работает независимо от партнёров и движется уверенными темпами навстречу поставленной цели.
Интересно услышать точку зрения аудитории: способны ли наши специалисты превзойти зарубежных коллег в технологической гонке?