(Результаты: вещество. «ХиЖ» 2025 №3) Кремниевые транзисторы — важнейший компонент электронных устройств, но из-за физических ограничений они не могут работать при электрическом напряжении ниже порогов в единицы и десятые доли вольта. Скорость работы транзистора связана с наклоном его вольт-амперной характеристики. Чем он выше, тем меньшее напряжение требуется для переключения прибора и выше его кпд. Эти параметры очень важны для новой электроники, особенно для энергозатратных ИИ-технологий, требующих быстрых вычислений. Исследователи из Массачусетского технологического института во главе с профессором инженерного факультета Хесусом дель Аламо (Jesús A. del Alamo) создали новый тип трехмерных транзисторов на основе гетероперехода GaSb/InAs. Они основаны на эффекте квантового туннелирования электронов. Сверхтонкие транзисторы в виде стержней сечением всего в 6 нанометров могут резко переключаться, но пока работают с малым током, что снижает их производительность. Сегодня это самые мален