TSMC анонсировала 1,4 нм-техпроцесс TSMC представила техпроцесс A14 класса 1,4 нанометра на базе транзисторов Gate-All-Around (GAA) второго поколения. Эта технология обеспечит прирост производительности на 10–15% при том же энергопотреблении и снижение мощности на 25–30% при сохранении частоты и сложности схем, по сравнению с 2-нм техпроцессом N2. Плотность логических элементов возрастёт на 23%, а общая плотность транзисторов в условиях смешанного проектирования — на 20%. Массовый выпуск микросхем по этому техпроцессу запланирован на 2028 год. Версия с подачей питания с обратной стороны чипа (BSPDN) выйдет в 2029 году. https://hightech.plus/2025/04/24/tsmc-anonsirovala-14-nm-tehprocess
TSMC анонсировала 1,4 нм-техпроцесс
TSMC представила техпроцесс A14 класса 1,4 нанометра на базе транзисторов Gate-All-Around (GAA) второго поколения. Эта технология обеспечит прирост производительности на 10–15% при том же энергопотреблении и снижение мощности на 25–30% при сохранении частоты и сложности схем, по сравнению с 2-нм техпроцессом N2. Плотность логических элементов возрастёт на 23%, а общая плотность транзисторов в условиях смешанного проектирования — на 20%. Массовый выпуск микросхем по этому техпроцессу запланирован на 2028 год. Версия с подачей питания с обратной стороны чипа (BSPDN) выйдет в 2029 году.
https://hightech.plus/2025/04/24/tsmc-anonsirovala-14-nm-tehprocess
