Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене
Hifi-Port.ru

Усилитель мощности SMSL VMV A1 Pro демонстрирует гибкость и производительность с транзисторами GaN

SMSL расширяет линейку своей продукции, представив продвинутую модификацию известного усилителя мощности VMV A1 в варианте Pro. Модель сочетает в себе передовые компоненты и компактный дизайн, обеспечивая высокопроизводительное звуковое оформление. Центральное место занимает использование транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), которые выделяются исключительной эффективностью, стремительностью и звуковой точностью, устанавливая новые стандарты как в стереорежиме, так и в режимах мостовых моно-блоков. В отличие от стандартных кремниевых компонентов, транзисторы GaN отличаются более высокой скоростью переключения и энергоэффективностью. SMSL VMV A1 Pro извлекает все преимущества из этой технологии, обеспечивая частоту переключения до 1 МГц, что значительно превышает стандартные показатели в 300–500 кГц, наблюдаемые у усилителей класса D. Работая на таких высоких частотах, устройство сводит к минимуму фазовые искажения и шум, а также гарантирует кристаллически чистый и динамичный зву

SMSL расширяет линейку своей продукции, представив продвинутую модификацию известного усилителя мощности VMV A1 в варианте Pro. Модель сочетает в себе передовые компоненты и компактный дизайн, обеспечивая высокопроизводительное звуковое оформление. Центральное место занимает использование транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), которые выделяются исключительной эффективностью, стремительностью и звуковой точностью, устанавливая новые стандарты как в стереорежиме, так и в режимах мостовых моно-блоков.

В отличие от стандартных кремниевых компонентов, транзисторы GaN отличаются более высокой скоростью переключения и энергоэффективностью. SMSL VMV A1 Pro извлекает все преимущества из этой технологии, обеспечивая частоту переключения до 1 МГц, что значительно превышает стандартные показатели в 300–500 кГц, наблюдаемые у усилителей класса D. Работая на таких высоких частотах, устройство сводит к минимуму фазовые искажения и шум, а также гарантирует кристаллически чистый и динамичный звук.

Адаптация к различным конфигурациям систем — одна из сильных сторон SMSL VMV A1 Pro. В стереорежиме он обеспечивает две линии по 160 Вт при нагрузке в 4 Ом или 85 Вт на канал при 8 Ом. В режиме мостового включения устройство выдает 400 Вт для 4 Ом или 250 Вт для 8 Ом, превращаясь в мощный моноблок. Это делает его крайне привлекательным для аудиофилов, которым необходимо универсальное и масштабируемое решение, будь то компактная 2-канальная система или сложная многоканальная установка.

Уникальный импульсный источник питания обеспечивает безупречную работу усилителя, быстро доставляя ток с минимальным шумом и снижая электромагнитные помехи. Защитные схемы обеспечивают стабильную работу даже при высоких уровнях мощности и предотвращают перегрев. Несмотря на скромные габариты, устройство остаётся прохладным в работе благодаря продуманной конструкции и эффективной системе охлаждения.

Эстетика и надежность сочетаются в прочном корпусе из алюминия, обработанном на ЧПУ. Позолоченные терминалы не подвержены коррозии и гарантируют безупречное соединение, а использование высококачественного чипа управления громкостью PGA2311 повышает общую акустическую производительность и удобство в эксплуатации.

Усилитель предлагает широкий выбор подключений, включая несимметричные входы RCA для стереорежима и балансные XLR для мостового режима, обеспечивая совместимость с разнообразными источниками звука.

SMSL VMV A1 Pro выступает идеальным выбором для создания референсных стереосистем или сложных усилительных сетапов. Он подчеркивает потенциал усилителей класса D, особенно при внедрении GaN-технологий, и является привлекательным выбором для ценителей высокого качества звука. Выход на рынок по цене 495 долларов США, он станет надежным решением для тех, кто ценит как изысканные технологии, так и безупречное исполнение.

Технические характеристики SMSL VMV A1 Pro:

- Тип усилителя: GaN технология, класс D

- Транзисторы: Infineon GaN FET

- Мощность: 2 × 160 Вт при 4 Ом, 2 × 85 Вт при 8 Ом, 1 × 400 Вт при 4 Ом (моно), 1 × 250 Вт при 8 Ом (моно)

- Коэффициент нелинейных искажений (КНИ): 0,003%

- Соотношение сигнал/шум: 109 дБ

- Динамический диапазон: 111 дБ

- Разделение каналов: 75 дБ

- Входная чувствительность: 680 мВ / 22 кОм (стерео), 2100 мВ / 22 кОм (моно)

- Регулятор громкости: аналоговый чип PGA2311

- Входы: RCA (стерео), XLR (моно)

- Потребляемая мощность: 40 Вт (в рабочем режиме)

- Габариты (Ш x В x Г): 210 x 47,6 x 201,6 мм

- Вес: 1,56 кг

Наши проекты:

👉 https://t.me/HiFiport
👉
https://hifi-port.ru/