Вот и настало время для того, чтобы продолжить наш дальнейший разговор о полупроводниках n и р типа. В предыдущей части мы узнали, что с помощью добавления различных примесей можно изменять сопротивление и тип токопроводности полупроводника, но мы так и не разобрали где можно использовать это свойство. Что же, давайте продолжим.
Возьмём два типа полупроводников. Один с электронной проводимостью, а другой - с дырочной. Плотно соединим их между собой. Окажется, что на границе их соединения образовался запорный слой (p-n переход). При соединении этих двух полупроводников электроны сразу же начнут диффундировать из n - полупроводника в p - полупроводник, т.е. где их мало. 'Дырки' же в свою очередь будут направляться из p - области в n - область. Дырки вступают в пары с электронами (рекомбинируют). В результате этого на границе раздела появляется тот самый p-n переход.
1) Подключим к данной конструкции батарейку в такой полярности, чтобы - источника был подключён к n области, а + источника был подключён к p-области.
В результате этого под действием электрического поля 'дырки' направятся к отрицательному полюсу батареи, а электроны - к положительному полюсу. За счёт электронов и 'дырок' запорный слой будет обогащаться носителями тока, и вследствие этого его сопротивление будет уменьшаться, а сила тока будет возрастать.
2) Если подключить батарейку в обратной полярности, то все 'дырки' притянутся к отрицательному полюсу батареи, а все электроны - к положительному полюсу батареи. Запорный слой лишиться носителей тока, его сопротивление возрастёт, и сила тока уменьшиться.
Итак, мы убедились, что такое соединение полупроводников n и p типа при подключении источника питания может пропускать ток только в одном направлении и только при одной полярности. И вы уже, наверное, догадались, что мы получили такой электронный компонент, как полупроводниковый диод.