Исследовательская группа в Университете Фудань представила флеш-память PoX, способную записывать один бит за 400 пикосекунд (0,0000000004 с) — это около 25 миллиардов операций в секунду. Технология впервые приблизила энергонезависимые чипы к скорости энергозависимой оперативной памяти форматов SRAM и DRAM.
Китайские инженеры использовали новую архитектуру флеш-памяти, отказавшись от традиционных кремниевых каналов в пользу двумерной структуры на основе графена Дирака со способностью к баллистическому перемещению. В реализации этой задачи им помог искусственный интеллект.
Баллистический перенос заряда — это особый режим движения электронов (или других носителей заряда) в материале, при котором они проходят через канал без столкновений с примесями, атомами решётки или другими электронами. В будущем память PoX может заменить отдельные SRAM-кэши, используемые в чипах для ИИ, чтобы снизить энергопотребление и габариты микросхем.
Такая технология открывает возможности для моментального включения гаджетов вроде смартфонов и нетбуков, а также для работы с базами данных, где весь необходимый объём информации может находиться в постоянной оперативной памяти.