Не успели ещё выйти все запланированные модели смартфонов с недавно дебютировавшим флагманским чипсетом нового поколения Qualcomm Snapdragon 8 Elite, как некоторые источники уже сообщают о примерной производительности следующей модели, которая, как предполагается, получит название Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 (хотя это ещё не подтверждено) — в частности, информатор Jukanlosreve со ссылкой на корейские источники сообщает о заметном росте быстродействия модели следующего поколения и некоторых изменениях в производственных процессах, пишет издание NotebookCheck.
Источник фото: Digital Trends/Qualcomm
Утверждается, что чипсет следующего поколения Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 сможет достичь показателя в районе 4000 баллов в одноядерном тесте Geekbench 6, что позволит ему обойти своего предшественника, Snapdragon 8 Elite, примерно на 25 %.
Конечно, рост производительности может быть сопряжён с увеличением частоты и температурных показателей, что свойственно и для Snapdragon 8 Elite – при росте частоты до 4.32 ГГц чипсет заметно греется, что требует от производителей соответствующих решений в виде мощных систем охлаждения.
Также информатор сообщает, что при производстве чипсета Snapdragon 8 Elite 2 будет использоваться как техпроцесс N3P от TSMC, так и SF2 от Samsung.
Данная информация исходит из неофициальных источников, поэтому к ней следует относиться с долей скептицизма.