MIT разработал инновационные трёхмерные транзисторы для более энергоэффективной электроники

Исследователи Массачусетского технологического института (MIT) создали инновационные трёхмерные транзисторы, которые могут работать при значительно более низком напряжении, чем традиционные кремниевые решения. Эти транзисторы, использующие ультратонкие полупроводниковые материалы и вертикальные нанопровода, обещают стать основой для более эффективной и мощной электроники, подходящей для таких устройств, как смартфоны и автомобили.

Кремниевые транзисторы, являющиеся основой большинства электронных устройств, имеют ограничения по минимальному напряжению, вызванные физическими законами, известными как «тирания Больцмана». Такие ограничения препятствуют улучшению энергоэффективности, особенно на фоне растущих потребностей технологий искусственного интеллекта, требующих высоких вычислительных мощностей. Новый тип транзисторов из MIT позволяет значительно снизить напряжение, обеспечивая такую же производительность, что и их кремниевые аналоги, что может стать значительным шагом в развитии более энергоэффективной электроники.

Технология, основанная на принципах квантовой механики, позволяет увеличить количество транзисторов на чипе, делая устройства быстрее и мощнее. Яньцзе Шао, один из авторов исследования, отметил, что новая технология может заменить кремний в будущем, обеспечивая гораздо большую энергоэффективность.

Профессор Хесус дель Аламо добавил, что, хотя для коммерческого применения предстоит решить множество задач, разработка уже сейчас выглядит как значительный прорыв в области электроники.

Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature.

]]>