Найти в Дзене
OVERCLOCKERS.RU

Rambus представила первые в отрасли модули памяти DDR5 MRDIMMs и RDIMMs со скоростями до 12 800 МТ/с

Компания Rambus представила новую технологию памяти DDR5, которая обещает значительное увеличение производительности со скоростью до 12 800 МТ/с. Эта новая технология включает в себя модули MRDIMM и RDIMM, которые предлагают высокую пропускную способность и больший объем памяти для центров обработки данных с высокими вычислительными и нагрузками искусственного интеллекта. Модули RDIMM, оснащенные драйвером тактовой частоты регистрации (RCD) Gen5, могут работать со скоростью 8000 МТ/с. Модули MRDIMM, в свою очередь, оснащены драйвером мультиплексированного регистрирующего тактового генератора (MRCD) и мультиплексированным буфером данных (MDB). Эти компоненты позволяют модулям MRDIMM работать на скорости до 12 800 МТ/с, что в два раза превышает скорость DRAM. Кроме того, компания Rambus разработала ИС управления питанием второго поколения (PMIC5030) для модулей DDR5 RDIMM 8000 и MRDIMM 12800. Этот ИС обеспечивает высокий ток при низком напряжении, позволяя поддерживать более высокие скор

Компания Rambus представила новую технологию памяти DDR5, которая обещает значительное увеличение производительности со скоростью до 12 800 МТ/с. Эта новая технология включает в себя модули MRDIMM и RDIMM, которые предлагают высокую пропускную способность и больший объем памяти для центров обработки данных с высокими вычислительными и нагрузками искусственного интеллекта.

Модули RDIMM, оснащенные драйвером тактовой частоты регистрации (RCD) Gen5, могут работать со скоростью 8000 МТ/с.

-2

Модули MRDIMM, в свою очередь, оснащены драйвером мультиплексированного регистрирующего тактового генератора (MRCD) и мультиплексированным буфером данных (MDB). Эти компоненты позволяют модулям MRDIMM работать на скорости до 12 800 МТ/с, что в два раза превышает скорость DRAM.

Кроме того, компания Rambus разработала ИС управления питанием второго поколения (PMIC5030) для модулей DDR5 RDIMM 8000 и MRDIMM 12800. Этот ИС обеспечивает высокий ток при низком напряжении, позволяя поддерживать более высокие скорости и увеличенное количество микросхем DRAM и логики на модуле.

📃 Читайте далее на сайте