IGBT транзисторы нового поколения в аппаратах ПТК HANKER. 👍🔥
Наш новый транзистор IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) из карбида кремния — это новое поколение полупроводниковых технологий.
Новый чип из карбида кремния обеспечивает более высокую частоту переключения, лучшую производительность, энергоэффективность и более низкое сопротивление проводников. В ближайшие пару лет мы планируем перевести всю нашу линейку ПТК HANKER на новые чипы, и ПТК HANKER MULTIWAVE TIG KT230 P AC/DC LCD H73 уже стал первым шагом на этом пути. 🤩
Основная частота аппарата была увеличена до 100 кГц, что превышает показатели традиционного IGBT в 2 раза, и имеет меньшее сопротивление проводника.
✅Более высокая частота и низкое сопротивление проводника означают, что пульсация волновых форм постоянного тока меньше, что обеспечивает более стабильную мощность, лучшие характеристики дуги и точный контроль над дугой.
✅Они также имеют меньшие размеры, что помогает свести к минимуму потери электроэнергии и повысить энергоэффективность по сравнению с традиционной технологией IGBT.
✅IGBT с чипами из карбида кремния, в том числе, обладают значительно более высокой ударопрочностью и термостойкостью — 150° против 120° по сравнению с традиционными. Он выдерживает более высокие напряжения и хорошо работает даже при более высоких температурах.
Наша новая технология IGBT с карбидокремниевыми чипами повышает надежность аппарата, обеспечивая превосходную производительность дуги и лучшее качество сварки по сравнению с предыдущей технологией БТИЗ.