Российский литографический лазер для полупроводников будет готов не раньше 2026 года, после чего Россия станет третьей страной, производящей такие установки, наряду с Японией и США.
ГК «Лассард» уже создала два прототипа лазера, которые пройдут испытания в следующем году, с целью наладить массовое производство к 2026 году. Установка позволит производить чипы с технологическими нормами 350 нм с последующим переходом на 130 нм.