SК Hynix объявила о начале массового производства 12-слойной памяти HBM3E, что позволит перейти к следующему этапу вычислений с искусственным интеллектом. Этот продукт предлагает емкость 36 Гбайт, являясь самой емкой памятью HBM на сегодняшний день. SK Hynix планирует выпускать серийные продукты этого типа на протяжении года, что подтверждает их передовые технологии. Компания также была первой, кто представил 8-слойную память HBM3E в марте этого года. SK Hynix является единственной компанией, разработавшей и выпустившей все поколения HBM, начиная с HBM1 в 2013 году и заканчивая HBM3E.
SK Hynix стремится сохранить свое лидерство на рынке памяти для искусственного интеллекта, отвечая на растущий спрос на память AI. Согласно компании, 12-слойная HBM3E соответствует высочайшим мировым стандартам в области скорости, емкости и стабильности, необходимым для памяти AI. Эта память имеет самую высокую скорость считывания - 9,6 Гбит/с. Если один GPU оснащен четырьмя HBM3E, он может считывать 70 миллиардов общих параметров 35 раз в секунду.
Для увеличения емкости на 50%, SK Hynix разработала технологию, позволяющую уложить 12 слоев микросхем DRAM емкостью 3 Гбайта при той же толщине, что и у предыдущего 8-слоевого продукта. Компания сделала каждый чип DRAM на 40% тоньше и уложила их вертикально с использованием технологии TSV. Кроме того, они решены проблемы, связанные с укладкой тонких чипов в высоту, применив усовершенствованный процесс MR-MUF. Эти улучшения обеспечивают на 10% более высокую эффективность отвода тепла по сравнению с предыдущим поколением и обеспечивают стабильность и надежность продукта.