Samsung объявила о начале массового производства твердотельных накопителей M.2 PCle 5.0 серии PM9E1. Высокие скорости достигаются за счёт фирменного контроллера на основе 5-нанометрового техпроцесса и технологии V-NAND (V8) восьмого поколения.
Благодаря восьмиканальному интерфейсу PCIe 5.0, скорость последовательного чтения и записи нового SSD увеличилась более чем вдвое по сравнению с предыдущим поколением — до 14,5 ГБ/с и 13 ГБ/с соответственно. Это позволяет переносить большую языковую модель (LLM) объёмом 14 ГБ с SSD в оперативную память менее чем за секунду.
Накопитель выпускается в вариантах на 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Последний подойдёт для пользователей, нуждающихся во внушительном хранилище для больших файлов, вроде сгенерированного ИИ контента, видео высокого разрешения или игр.
При всём этом Samsung улучшила энергоэффективность по сравнению с PM9A1a более чем на 50%, что потенциально улучшает автономность ноутбуков. Компания также применила протокол безопасности и модель данных (SPDM) v1.2: это позволяет предотвратить атаки, включающие подделку или манипулирование сохранёнными данными во время процесса производства или распространения накопителей.