AMG Power расширила ассортимент линейку силовых компонентов SiC MOSFET транзистором в стандартном корпусе TO-247-4 рассчитанным на напряжение сток-исток 3300 В и максимальный продолжительный ток 50 А – A2G50N3300MT4. Транзистор позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надежности устройства.
Максимальный продолжительный ток 50 А и повышенное до 3300 В напряжение сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадежных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания.
Благодаря использованию технологии SiC, потери на переключение и проводимость минимизируются, что значительно снижает тепловыделение. Это позволяет отказаться от громоздких систем активного охлаждения и использовать естественное охлаждение без увеличения размеров устройства, сохраняя его компактность и эффективность.
Основные особенности SiC MOSFET A2G50N3300MT4:
- корпус стандарта TO-247-4;
- высокое запирающее напряжение при низком сопротивлении в открытом состоянии (RDS(on));
- сверхнизкие потери, работа на повышенных частотах;
- нулевые потери на обратное восстановление диода;
- нормально выключенное состояние, отказоустойчивая работа устройства.
Применение транзистора A2G50N3300MT4:
- высокочастотные преобразователи;
- преобразователи DC-DC;
- солнечные инверторы и ветрогенераторы;
- ИБП и ИИП;
- преобразователи для ЖД и горного оборудования.
С полными характеристиками транзистора A2G50N3300MT4 вы можете ознакомится в документации по ссылке.