Samsung начала массовое производство QLC V-NAND 9-го поколения, что позволит повысить емкость и производительность этих чипов. Samsung использовала различные технологии для создания 9-го поколения Quad Level Cell V-NAND, которое предназначено для приложений искусственного интеллекта. Это производство стало возможным благодаря технологии каналов с отверстиями и программированию, которые обеспечивают высокую плотность памяти и надежность операций чтения и записи.
Первоначально Samsung начнет выпуск QLC V-NAND 9-го поколения с потребительских продуктов, а затем расширит линейку до UFS, ПК и серверных SSD.
Samsung достигла самого высокого количества слоев в отрасли и повысила эффективность хранения данных. В результате Samsung увеличила производительность записи в два раза и увеличила скорость ввода/вывода данных на 60%. При этом энергопотребление при чтении и записи данных снизилось на 30% и 50% соответственно благодаря технологии Low-power Design.
Благодаря применению технологии Channel Hole Etching Samsung может создавать больше слоев памяти NAND и обеспечить меньшее тепловыделение при увеличении плотности на 86%. Технология Designed Mold позволяет равномерно распределять ячейки по слоям и достигает стабильной и надежной работы. Применение технологии Predictive Program позволяет оптимизировать процесс записи данных в ячейки NAND, что повышает производительность на 60% как при чтении, так и при записи данных.