5,5 млрд руб. в локализацию производства транзисторов на основе нитрида галлия планирует вложить воронежское АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (НИИЭТ).
Как сообщает «Коммерсант», эта продукция позволит «не догонять иностранные государства, а составить им конкуренцию на внутреннем и внешнем рынках».
В рамках реализации проекта планируется оснастить производство дополнительным оборудованием. Производственная мощность составит 5,4 тыс. штук пластин в год.
Нитрид галлия – бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной – 3,4 эВ. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита.
«Элемент» уже имеет компетенции по производству на других предприятиях группы. Полупроводники будут производить на основе гетероструктур нитрида галлия на кремнии для силовой электроники диаметром 200 мм.
В рамках реализации проекта планируется как внутреннее, так и внешнее финансирование.