Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства своей новой вертикальной памяти QLC V-NAND 9-го поколения, которая позволяет компании предлагать полную линейку передовых решений для хранения данных. Это решение будет особенно полезно для задач искусственного интеллекта (ИИ) из-за его высокого уровня производительности.
Новая память имеет емкость 1 Тбит и будет использоваться не только в фирменных продуктах, но и в мобильной универсальной флэш-памяти UFS, SSD для клиентских ПК и серверов, включая решения для поставщиков облачных услуг. Его отличают несколько технологических прорывов, в том числе травление канальных отверстий, которое позволяет достичь максимального количества слоев в отрасли, а также увеличение плотности долота на 86% по сравнению с предыдущим поколением.
В дополнение к высокой плотности, QLC V-NAND девятого поколения обеспечивает высокую производительность и надежность благодаря использованию таких технологий, как спроектированная форма, программа прогнозирования и маломощный дизайн. Эти технологии помогают удвоить скорость записи и увеличить скорость ввода/вывода данных на 60%, а также снизить энергопотребление при чтении и записи данных примерно на 30% и 50% соответственно.
Таким образом, новый продукт Samsung Electronics представляет собой мощный инструмент для развития различных областей, включая искусственный интеллект и облачные сервисы, предоставляя пользователям более эффективное и надежное решение для их потребностей в хранении данных.
]]>
