В эпоху стремительного развития искусственного интеллекта (ИИ) на устройствах компании Samsung Electronics и SK Hynix сосредоточились на разработке инновационной памяти High Bandwidth Memory (HBM) для мобильных устройств. Этот шаг направлен на удовлетворение растущего спроса на высокопроизводительную память, необходимую для поддержки интенсивных вычислений ИИ в смартфонах, ноутбуках и гарнитурах смешанной реальности (XR).
High Bandwidth Memory (HBM) представляет собой тип 3D-стековой синхронной динамической памяти с доступом к случайному выборочному доступу (SDRAM), которая изначально была разработана компаниями Samsung, AMD и SK Hynix. HBM известна своей способностью обеспечивать высокую пропускную способность и низкое энергопотребление, что делает её идеальной для высокопроизводительных вычислений, включая ИИ и машинное обучение.
И теперь компании Samsung Electronics и SK Hynix работают над созданием мобильной версии HBM, которая будет отличаться от серверной версии. Мобильная HBM будет использовать аналогичный метод вертикальной укладки полупроводниковой памяти и логики, но будет адаптирована для использования в мобильных устройствах. Samsung Electronics разрабатывает мобильный HBM под названием «VCS». Эта технология предназначена для установки поверх точки доступа и расширения пропускной способности за счёт увеличения входных и выходных клемм, что соответствует методу крепления HBM поверх графического процессора (GPU) в серверном ускорителе. SK Hynix, в свою очередь, разрабатывает мобильный HBM под названием «VFO». SK Hynix сотрудничает с TSMC для совместной разработки следующего поколения AI-чипов, включая HBM4, который будет использовать передовую технологию логических процессов TSMC для базового кристалла HBM.
Мобильный HBM обещает значительные улучшения по сравнению с текущей LPDDR DRAM, используемой в мобильных устройствах. Основные преимущества включают:
- Лучшая производительность: мобильный HBM обеспечит более высокую пропускную способность, необходимую для интенсивных вычислений ИИ;
- Меньшее энергопотребление: новая память будет потреблять меньше энергии, что важно для мобильных устройств с ограниченным энергоснабжением;
- Низкое тепловыделение: уменьшение тепловыделения позволит использовать мобильный HBM в более компактных устройствах без риска перегрева.
Предполагается, что обе компании запустят мобильный HBM в 2026 году. Это будет значительным шагом вперёд в развитии мобильных устройств, способных поддерживать сложные ИИ-приложения. Кроме того, поскольку циклы замены смартфонов, ноутбуков и автомобилей относительно короткие, память для ИИ на устройствах может стать новым двигателем роста в отрасли. В настоящее время HBM применяется только к серверам и сетевым системам, но будущая память может быть установлена в электромобилях и беспилотных автомобилях.