Ведущий производитель памяти и накопителей, компания Samsung, приступила к серийному производству твердотельных накопителей MP9E1. Этот накопитель является самым быстрым в линейке компании, разработанным на основе собственного контроллера с топологией 5 нм и использующим V-NAND 8-го поколения для достижения высокой скорости как последовательного чтения, так и записи, а также эффективного расхода энергии.
Согласно недавнему блогу компании, SSD MP9E1 Gen5 способен обеспечивать скорость чтения до 14,5 ГБ/с, с показателем записи до 13 ГБ/с. V-NAND 8-го поколения, применяемый в этом накопителе, представляет собой TLC (Triple Level Cell) NAND с высокой плотностью, что позволяет увеличить объем хранения в компактном формате.
Оснащенный восьмиканальным интерфейсом Gen5, PM9E1 имеет возможность удвоить скорость чтения и записи по сравнению с предыдущими моделями, что обеспечивает более высокую скорость передачи данных как для общих задач, так и для приложений, активно использующих ИИ. Это не только уменьшает общее потребление энергии, но и способствует увеличению времени работы батареи ноутбуков.
SSD Samsung PM9E1 Gen5 предлагается в нескольких вариантах емкости: 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Модели с емкостью 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ подойдут для хранения важных файлов, приложений и игр, тогда как вариант на 4 ТБ обеспечит возможность хранения программ с большим объемом данных, а также тяжелых мультимедийных файлов и игр.
