Линейка высокопроизводительных микросхем памяти скоро пополнится новым номиналом HBM4, но уже от южнокорейской компании Samsung. Ожидается, что флагман будет обладать 2048-битным интерфейсом.
У бренда SK hynix микросхемы HBM3E имеют шину передачи данных 1024 бит. Модернизация нового поколения интегральных компонентов в значительной степени увеличит пропускную способность. Это очень актуально для приложений с искусственным интеллектом и машинного обучения. «ЗУМ-СМД» собрал информацию о новой технологии в одной статье.
Немного о технологии HBM4
Накопители типа HBM3, как и последующие конструирование HBM3E, разрабатывались по большей части для расширителей ИИ. Компания NVIDIA использовала их для своих видеокарт. Современный рынок постоянно требует наличия микросхем и микроконтроллеров с улучшенными параметрами. В связи с падением спроса на интегральные компоненты, новый тип высоко интегрированных полупроводниковых изделий будет выглядеть более привлекательным.
Пока неизвестно, какой именно скоростью будут обладать микросхемы памяти шестого поколения.
Пропускная способность накопителей:
- HBM1 — 128 Гб/с;
- HBM2 — 256 Гб/с;
- HBM2E — 461 Гб/с;
- HBM3 — 819 Гб/с;
- HBM3E — 1,2 Тб/с.
Естественно, этот параметр будет значительно увеличен в HBM4 благодаря улучшенной структуре и расширенному интерфейсу. Понятно, что реализовать его будет сложнее. Например, для микросхем HBM3E с 1024-битным интерфейсом необходимо сделать около 4 тысяч физических соединений. Причем некоторые контакты используются для подачи питания, стабильность которого должна оставаться на высоком уровне.
С удвоением числа линий интерфейса в новых микросхемах памяти количество контактов увеличится еще больше. Но похоже разработчиков это не пугает, раз они решили создать такой проект.
Для изготовления новых микросхем HBM4 компания Samsung будет использовать такие технологии:
- Non-ConductiveFilm (NCF) — заполнение непроводящей пленкой, позволяет точно и равномерно укладывать подсыпку. Поток материала можно точно контролировать на этапах ламинирования и склеивания, что позволяет создать более узкие зоны защиты и уменьшить расстояние между матрицами.
- Hybrid Cooper Bonding (HCB) — гибридное соединение, позволяющее объединить несколько матриц с небольшим шагом (менее 10 мкм). Технология обеспечивает более широкую полосу пропускания, повышенную мощность и целостность сигнала.
По сведениям издательской компании The Elec стеки памяти Samsung будет изготавливать по техпроцессу 10 нм, а логику — 4 нм.
Планы Samsung по выпуску микросхем памяти HBM4
Южнокорейские разработчики создают цифровой проект. Чтобы его реализовать понадобится несколько месяцев, так что первые образцы могут появиться уже весной 2025 года, а массовое изготовление может начаться в 2026 году.
На профильные производственные линии компании придется потратить немало средств, так как технология 1С требует закупки и установки нового оборудования. Однако вложения того стоят, так как конкуренция на современном рынке микроэлектроники очень жесткая. Новая же продукция позволит неплохо заработать. Тем более, что такие компании, как AMD и Nvidia уже разрабатывают ускорители вычислений Instinct MI400 и Rubin. В них известные бренды хотят применить память нового поколения HBM4.