В НГУ разработали новую технологию создания наноструктур для полупроводников

Ученые из Новосибирского государственного университета (НГУ) применили новую технологию создания наноструктур для производства полупроводников. Эта технология характеризуется высокой эффективностью обработки поверхности материалов с минимальным повреждением их структуры. Для получения наноструктур специалисты использовали газоструйные ионно-кластерные пучки, которые оказались более эффективным методом, чем импульсный подход. Волнообразная структура, сформированная в результате этого процесса, обеспечивает лучшую проводимость материала, что делает его привлекательным для использования в различных областях, включая плазмонику, телекоммуникации, оптоэлектронику, электронную технику и солнечную энергетику. Результаты исследований могут открыть новые горизонты для технологических инноваций в этих областях.

]]>