Samsung Electronics, один из ведущих мировых производителей электроники, готовится обострить конкуренцию в полупроводниковой промышленности. Южнокорейская компания планирует ввести в эксплуатацию новейшие литографические установки High-NA, что позволит ей существенно сократить размеры транзисторов и повысить производительность своих чипов. Ожидается, что передовые установки будут введены в эксплуатацию уже в конце текущего или начале следующего года, что позволит Samsung приблизиться к таким лидерам отрасли, как Intel.
Важно отметить, что литографические машины с высокой числовой апертурой (High Numerical Aperture, High-NA) стали доступны производителям только в этом году. Intel первой среди мировых производителей приобрела такую машину, стремясь обойти конкурентов и уменьшить размеры полупроводниковых узлов. Теперь, согласно новым сообщениям, к числу пользователей High-NA присоединился и завод Samsung. В результате этого TSMC остается единственным крупным производителем, который пока не спешит внедрять эту передовую технологию.
Информация о планах Samsung появилась в статье на сайте Seoul Economic Daily, где также была опубликована фотография руководителей Samsung, стоящих рядом с машиной для литографии High-NA в головном офисе компании ASML в Нидерландах. Ранее ходили слухи, что Intel приобрела все машины High-NA от ASML, запланированные на 2024 год, но, похоже, ситуация изменилась. Согласно данным из Кореи, ASML выпустила восемь таких машин, из которых семь купила Intel, а одну оставила для Samsung.
На этой фотографии показана верхняя часть установки High-NA, которая готовится к отправке на завод производителя. Фото: ASML
Речь идет о литографической машине Twinscan EXE:5000, стоимость которой оценивается примерно в 380 миллионов долларов. Как сообщает Tom's Hardware, числовая апертура этой машины составляет 0,55, что относит ее к категории High-NA. Ожидается, что новое оборудование будет введено в эксплуатацию в начале 2025 года, примерно тогда же, когда Intel планирует запустить аналогичную машину на своем заводе в Орегоне. Однако Intel получила почти годовое преимущество благодаря проведению тестов и исследований на этом оборудовании. Обе компании намерены использовать эти машины для создания полупроводниковых узлов следующего поколения, размер которых будет меньше 2 нм, при этом Intel планирует применить High-NA для своего узла Intel 14a.
Samsung намерена использовать это оборудование для изготовления DRAM и других логических микросхем, так как компания активно конкурирует на нескольких направлениях — с TSMC и Intel на рынке процессоров, а также с SK Hynix и Micron в области DRAM и NAND. Однако запуск массового производства с применением технологии High-NA ожидается не раньше, чем через несколько лет, примерно к 2026 году, что совпадает с планами Intel. Сообщается, что TSMC рассматривает возможность внедрения High-NA при переходе на узел в 1 нм, что опережает текущий (3 нм, 2 нм, 1,4 нм и т.д.) примерно на два поколения, так что это может произойти через шесть или более лет.
