Huawei, китайский технологический гигант, продолжает работать над разработкой нового чипа Kirin, несмотря на ограничения, наложенные США. Согласно последней утечке от известного технического инсайдера Digital Chat Station (DCS), компания, вероятно, применит разработанный внутри страны "процесс n+2/3" для производства следующего чипа Kirin, который может получить название Kirin 9100. Данный процесс соответствует 5-нм техпроцессу, однако Huawei будет использовать литографию Deep Ultraviolet (DUV) с множественным шаблонированием вместо популярной EUV-литографии (экстремально-ультрафиолетовой литографии), используемой TSMC и Samsung.
Хотя этот подход позволит Huawei ограничить размеры транзисторов, близких к 5 нм, он не будет идентичен EUV-литографии. Литография DUV требует многократного экспонирования для получения требуемого рисунка на чипе, что может привести к более высоким производственным затратам и обеспечению более низкого выхода чипов по сравнению с EUV.
Тем не менее, DCS отмечает, что новый чип обеспечивает «весьма очевидное» повышение энергоэффективности благодаря использованию мобильного чипа Kirin. Однако он может не соответствовать эффективности последних предложений Qualcomm, поскольку, по словам информатора, он будет находиться на одном уровне с Snapdragon 8 Gen 2. В любом случае, DCS утверждает, что новый чип Kirin определенно будет эффективнее Snapdragon 8+ Gen 1.
Существует ещё один занятный вопрос. Поскольку заводы TSMC и Samsung не являются вариантами для производства нового чипа Kirin из-за ограничений США, непонятно, какой китайский завод имеет возможности для 5-нм процесса DUV. SMIC является потенциальным кандидатом, но он находится под пристальным вниманием правительства США в отношении его способностей производить передовые чипы.
