Ученые Института физики КФУ определили количественные параметры взаимодействий в магнитной подсистеме на базе графена с адсорбированными атомами железа. Такие материалы в будущем могут использоваться при создании надежных и быстродействующих спиновых элементов памяти.
Спинтроника представляет собой более энергоэффективную альтернативу современной кремниевой электронике, которая приближается к своим технологическим пределам. Спиновые транзисторы основаны не на переносе заряда электронов, а на управлении их магнитным моментом — спином.
Наиболее перспективными для создания таких устройств представляются сверхтонкие двумерные материалы, такие как графен. Однако сам по себе графен не является магнитным материалом. Один из вариантов решения — ввести магнитные атомы в структуру графена.
Графен с адсорбированными магнитными атомами представляется перспективным в создании надежных и быстродействующих спиновых элементов памяти по технологии MRAM (магниторезистивная память с произвольным доступом), которая в перспективе обеспечит высокую скорость записи и чтения данных при минимальном энергопотреблении. Обогащенный магнитными включениями графен может найти применение в квантовых вычислениях, а также в биомедицинских технологиях.
