. Description: This is an N-Channel HEXFET Power MOSFET from International Rectifier. This device features a maximum drain-source voltage of 500V and a typical drain current of 32A. Features: Low gate charge Low input capacitance Fast switching Improved dv/dt capability High peak current capability Avalanche energy rated Application: This MOSFET is suitable for applications such as switching regulators and dc-dc converters, motor control, relay drivers, and audio amplifiers. Other applications include primary switching, secondary rectification, inverters, and electronic ballasts.(For reference only)
Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/1885696.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: sales@utsource.com