The DU1230S is a high power, GaN-on-SiC, high electron mobility transistor (HEMT) designed for use in high frequency applications. It is manufactured by MACOM and is available in a hermetically sealed, flange-mount package.
The device features a maximum drain-source voltage of 30 V, a maximum drain current of 1.2 A, and a maximum power dissipation of 30 W. It has a typical gain of 15 dB and a typical noise figure of 2.5 dB. The device is designed for use in applications such as point-to-point radio, VSAT, and military communication systems.(For reference only)
Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/1726290.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: sales@utsource.com